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    kSA 400 RHEED分析系統

    描述:kSA 400 RHEED分析系統,適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統(如:脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學(xué)氣象沉積MOCVD等)!目前第四代系統結合新的硬件和軟件,為客戶(hù)提供豐富的RHEED分析信息。

    更新時(shí)間:2024-04-23
    產(chǎn)品型號:
    廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
    詳情介紹
    品牌其他品牌產(chǎn)地類(lèi)別進(jìn)口
    價(jià)格區間面議應用領(lǐng)域環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子

    kSA 400 RHEED分析系統,適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統(如:脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學(xué)氣象沉積MOCVD等)!目前第四代系統結合新的硬件和軟件,為客戶(hù)提供豐富的RHEED分析信息。


    kSA 400 RHEED分析系統 超過(guò)500個(gè)用戶(hù),國內如南京大學(xué)、中科院半導體所、電子部11所、中國科技大學(xué)、復旦大學(xué)、上海技術(shù)物理研究所等;


    技術(shù)參數:

      • CCD系統:高速、高分辨和高靈敏度三種可選
      • 光學(xué)系統:RHEED定量分析及成像分析
      • 標準接口法蘭


    主要特點(diǎn):
     
    • 圖像分析:?jiǎn)我粓D像分析(靜態(tài)分析)模式,用戶(hù)選擇多圖像模式,聚焦模式,掃描模式,錄像模式,交互圖像疊加模式,2D和3D圖像分析;
      • 實(shí)時(shí)衍射條紋演化監控拍攝;
      • 實(shí)時(shí)薄膜沉積速率測量;
      • 原位表面診斷分析
      • 軟件分析功能
      • RHEED振蕩追蹤檢測
      • 可擴展:Phase Locked Epitaxy (PLE), LEED, Auger/XPS,電子槍控制和搖擺曲線(xiàn)掃描;


    專(zhuān)業(yè)的RHEED分析系統(kSA 400 Analytical RHEED System),適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統(如:脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學(xué)氣象沉積MOCVD等)!目前第四代系統結合新的硬件和功能強大的軟件為客戶(hù)提供廣泛的RHEED分析信息。kSA 400 RHEED分析系統,適合各種RHEED系統和薄膜沉積系統(如:脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學(xué)氣象沉積MOCVD等)!目前第四代系統結合新的硬件和軟件,為客戶(hù)提供豐富的RHEED分析信息。

     實(shí)際應用廣泛,歡迎廣大新老客戶(hù)咨詢(xún),我們會(huì )竭力為您解決問(wèn)題。期待我們能成為朋友,能為您的科研事業(yè)盡到微薄之力,我們倍感榮幸。同時(shí)感謝廣大用戶(hù)對我們一直的支持。謝謝!




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